IGBT是一种电压驱动的电子开关，正常情况下只要给15V电压就可以饱和导通，实际器件的驱动是给栅极端口电容充放电，还是需要电流的。IGBT驱动电流峰值电流取决于栅极总电阻，电流取决于栅极电荷，但我们一般讲的是峰值电流。

使用低压降稳压器 (LDO) 来过滤开关模式电源产生的纹波电压并不是实现清洁直流电源的唯一考虑因素。由于 LDO 是电子器件，因此它们会自行产生一定量的噪声。选择低噪声 LDO 并采取措施来降低内部噪声对于生成不会影响系统性能的清洁电源轨而言不可或缺。

也许一个只有一个八度范围小型电子琴使用普通单片机可以方便的完成，但这款全模拟音乐合成器则使得对音乐、电子以及信号原理的学习更能够充满乐趣。这一点是弥足珍贵的

DC/DC的不稳定是由多种因素造成的，例如补偿参数不当或布局不足。本文将主要讨论次谐波振荡，这是一种当电流模式开关稳压器具有连续电感电流且占空比超过 50% 时可能产生的不稳定形式，而这种振荡会导致不稳定的电源。

金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 是一种场效应晶体管 (FET) 电子器件。它可以充当压控电流源，并主要用作开关或用于放大电信号。MOSFET的控制是通过向栅极施加特定的电压来进行的。当MOSFET导通时，电流通过在 体区（称为bulk或body）中形成的沟道，从MOSFET的漏极流向源极。大多数情况下，MOSFET的 体区与源极连接，这也是为什么MOSFET通常被称为3引脚器件的原因。

制造商不愿意将钱花在现成的模块上，而是参考控制IC的应用电路，使用分立器件搭建一个开关稳压器安装在电路板上。这种方法在理论上是有效的，但实际上却存在一些问题。

电压跟踪器是一种向 VOUT 引脚输出电压的 IC，该电压等同于输入到 ADJ 引脚的电压 (VADJ)。

电源是研发生产环节不可或缺的设备，一款合适的电源，能帮助工程师轻松开发产品。那么，如何选择配备电源呢？本文将手把手帮您选择一款最合适的电源！

近年来，随着智能手机、平板电脑等消费电子终端对电池电量需求的不断增长，消费者对电子产品充电速度、充电体验的需求也在不断提高。针对大容量锂电池的高效率、高功率充电应用，TI推出了以BQ25980为代表的开关电容架构快速充电芯片，可以实现高达98.6%效率的快速充电方案，为消费者带来快速稳定、高效易用的充电体验。

触发”绝对称得上数字示波器灵魂级的概念，如果没有合适的触发条件，波形观测也无从谈起。虽然很多工程师熟悉触发功能，但大部分只知其表不知其里。如何深入理解触发呢？这篇ZDS示波器研发笔记分享给大家。

本文介绍对高速宽带宽信号链进行噪声性能理论分析的各个步骤。尽管选择了一个特定信号链，但介绍的这些步骤适用于所有类型的信号链。主要分为五个步骤：给出假设，绘制信号链的简化原理图，计算每个信号链模块的等效噪声带宽，计算各个模块在信号链输出端的噪声贡献，最后将所有噪声相加。分析显示了如何使用简单的数学计算来描述所有噪声的贡献。了解每个模块对总噪声的贡献，让设计人员能够适当地修改设计（例如，元器件的选择），以优化其噪声性能。

半导体功率器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT属于电压控制型开关器件，具有开关速度快、易于驱动、损耗低等优势。IGBT全称是绝缘栅极型功率管，是由双极型三极管（BJT）和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式半导体功率器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降两方面的优点。随着新能源汽车、智能家电、5G、轨道交通等行业的兴起，MOSFET和IGBT也迎来了发展的春天。