2N3820

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制造商:ON Semiconductor 包装:体积 系列:- 零件状态:停产 FET类型:P沟道 漏源电压(Vdss):- 权力-马克斯:350mW 操作温度:-55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型:通孔 包装/箱子:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA) 供应商设备包:至92-3

2N3820

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系列 : - 制造商 : Central Semiconductor Corp FET 类型 : P 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS) : 20V 漏源电压(Vdss) : 20V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) : 300mA @ 10V 漏极电流(Id) - 最大值 : 300mA @ 10V 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) : 8V @ 10µA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 32pF @ 10V 电阻 - RDS(开) : 32pF @ 10V 功率 - 最大值 : 360mW 工作温度 : -65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-226-3,TO-92-3 标准主体(--TO-226AA) 供应商器件封装 : TO-92 包装 : 散装 零件状态 : 在售

2N3820_D26Z

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系列 : - 制造商 : ON Semiconductor FET 类型 : P 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS) : 20V 漏源电压(Vdss) : 20V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) : 300µA @ 10V 漏极电流(Id) - 最大值 : 300µA @ 10V 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) : 8V @ 10µA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 32pF @ 10V 电阻 - RDS(开) : 32pF @ 10V 功率 - 最大值 : 350mW 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装 : TO-92-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停產

2N3822

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系列 : 军用,MIL-PRF-19500/375 制造商 : Microsemi Corporation FET 类型 : N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS) : 50V 漏源电压(Vdss) : 50V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) : 10mA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值 : 10mA @ 15V 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) : 6V @ 500pA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 6pF @ 15V 电阻 - RDS(开) : 6pF @ 15V 功率 - 最大值 : 300mW 工作温度 : -55°C ~ 200°C(TJ) 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-206AF,TO-72-4 金属罐 供应商器件封装 : TO-72 包装 : 散装 零件状态 : 停产

2N4093

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系列 : 军用,MIL-PRF-19500/431 制造商 : Microsemi Corporation FET 类型 : N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS) : 40V 漏源电压(Vdss) : 40V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) : 8mA @ 20V 漏极电流(Id) - 最大值 : 8mA @ 20V 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) : 8mA @ 20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 16pF @ 20V 电阻 - RDS(开) : 80 Ohms 功率 - 最大值 : 360mW 工作温度 : -65°C ~ 175°C(TJ) 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装 : TO-18 包装 : 散装 零件状态 : 停产

2N4117A

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制造商:Vishay Siliconix 包装:体积 系列:- 零件状态:停产 FET类型:N通道 漏源电压(Vdss):- 权力-马克斯:300mW 操作温度:-55°C ~ 175°C (TJ) 安装类型:通孔 包装/箱子:至-206AF,至-72-4金属罐 供应商设备包:TO-206AF (TO-72)

2N4117A-2

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制造商:Vishay Siliconix 包装:体积 系列:- 零件状态:停产 FET类型:N通道 漏源电压(Vdss):- 权力-马克斯:300mW 操作温度:-55°C ~ 175°C (TJ) 安装类型:通孔 包装/箱子:至-206AF,至-72-4金属罐 供应商设备包:to-206af (to-72)

2N4117A-E3

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制造商:Vishay Siliconix 包装:体积 系列:- 零件状态:停产 FET类型:N通道 漏源电压(Vdss):- 权力-马克斯:300mW 操作温度:-55°C ~ 175°C (TJ) 安装类型:通孔 包装/箱子:至-206AF,至-72-4金属罐 供应商设备包:to-206af (to-72)

2N4118A

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制造商:Vishay Siliconix 包装:体积 系列:- 零件状态:停产 FET类型:N通道 漏源电压(Vdss):- 权力-马克斯:300mW 操作温度:-55°C ~ 175°C (TJ) 安装类型:通孔 包装/箱子:至-206AF,至-72-4金属罐 供应商设备包:to-206af (to-72)

2N4118A-2

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制造商:Vishay Siliconix 包装:体积 系列:- 零件状态:停产 FET类型:N通道 漏源电压(Vdss):- 权力-马克斯:300mW 操作温度:-55°C ~ 175°C (TJ) 安装类型:通孔 包装/箱子:至-206AF,至-72-4金属罐 供应商设备包:to-206af (to-72)

2N4118A-E3

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制造商:Vishay Siliconix 包装:体积 系列:- 零件状态:停产 FET类型:N通道 漏源电压(Vdss):- 权力-马克斯:300mW 操作温度:-55°C ~ 175°C (TJ) 安装类型:通孔 包装/箱子:至-206AF,至-72-4金属罐 供应商设备包:to-206af (to-72)

2N4119A

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制造商:Vishay Siliconix 包装:体积 系列:- 零件状态:停产 FET类型:N通道 漏源电压(Vdss):- 权力-马克斯:300mW 操作温度:-55°C ~ 175°C (TJ) 安装类型:通孔 包装/箱子:至-206AF,至-72-4金属罐 供应商设备包:to-206af (to-72)