MMBFJ271

€0.22

系列 : - 制造商 : ON Semiconductor FET 类型 : P 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS) : 30V 漏源电压(Vdss) : 30V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) : 6mA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值 : 6mA @ 15V 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) : 1.5V @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : - 电阻 - RDS(开) : - 功率 - 最大值 : 225mW 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装 : SOT-23-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

MMBFJ175

€0.28

系列 : - 制造商 : ON Semiconductor FET 类型 : P 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS) : 30V 漏源电压(Vdss) : 30V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) : 7mA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值 : 7mA @ 15V 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) : 3V @ 10nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : - 电阻 - RDS(开) : 125 Ohms 功率 - 最大值 : 225mW 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装 : SOT-23-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

MMBFJ176

€0.20

系列 : - 制造商 : ON Semiconductor FET 类型 : P 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS) : 30V 漏源电压(Vdss) : 30V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) : 2mA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值 : 2mA @ 15V 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) : 1V @ 10nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : - 电阻 - RDS(开) : 250 Ohms 功率 - 最大值 : 225mW 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装 : SOT-23-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

MMBF5434

€0.30

系列 : - 制造商 : ON Semiconductor FET 类型 : N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS) : 25V 漏源电压(Vdss) : 25V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) : 30mA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值 : 30mA @ 15V 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) : 1V @ 3nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 30pF @ 10V(VGS) 电阻 - RDS(开) : 30pF @ 10V(VGS) 功率 - 最大值 : 350mW 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装 : SuperSOT-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

2N4392

€1.62

系列 : - 制造商 : Central Semiconductor Corp FET 类型 : N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS) : 40V 漏源电压(Vdss) : 40V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) : 25mA @ 20V 漏极电流(Id) - 最大值 : 25mA @ 20V 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) : 2V @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 14pF @ 20V 电阻 - RDS(开) : 60 Ohms 功率 - 最大值 : 1.8W 工作温度 : -65°C ~ 175°C(TJ) 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装 : TO-18 包装 : 散装 零件状态 : 在售

2N4393

€1.90

系列 : - 制造商 : Central Semiconductor Corp FET 类型 : N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS) : 40V 漏源电压(Vdss) : 40V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) : 5mA @ 20V 漏极电流(Id) - 最大值 : 5mA @ 20V 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) : 500mV @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 14pF @ 20V 电阻 - RDS(开) : 100 Ohms 功率 - 最大值 : 1.8W 工作温度 : -65°C ~ 175°C(TJ) 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装 : TO-18 包装 : 散装 零件状态 : 在售

BSR56

€0.23

系列 : - 制造商 : ON Semiconductor FET 类型 : N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS) : 40V 漏源电压(Vdss) : 40V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) : 50mA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值 : 50mA @ 15V 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) : 4V @ .5nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : - 电阻 - RDS(开) : 25 Ohms 功率 - 最大值 : 250mW 工作温度 : 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装 : SOT-23-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

BSR57

€0.25

系列 : - 制造商 : ON Semiconductor FET 类型 : N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS) : 40V 漏源电压(Vdss) : 40V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) : 20mA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值 : 20mA @ 15V 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) : 2V @ .5nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : - 电阻 - RDS(开) : 40 Ohms 功率 - 最大值 : 250mW 工作温度 : 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装 : SOT-23-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

MMBF5458

€0.24

系列 : - 制造商 : ON Semiconductor FET 类型 : N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS) : 25V 漏源电压(Vdss) : 25V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) : 2mA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值 : 2mA @ 15V 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) : 1V @ 10nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 7pF @ 15V 电阻 - RDS(开) : 7pF @ 15V 功率 - 最大值 : 350mW 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装 : SOT-23-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

J113-D74Z

€0.24

系列 : - 制造商 : ON Semiconductor FET 类型 : N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS) : 35V 漏源电压(Vdss) : 35V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) : 2mA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值 : 2mA @ 15V 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) : 500mV @ 1µA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : - 电阻 - RDS(开) : 100 Ohms 功率 - 最大值 : 625mW 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装 : TO-92-3 包装 : 带盒(TB) 零件状态 : 在售

2SK3666-3-TB-E

€0.18

系列 : - 制造商 : ON Semiconductor FET 类型 : N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS) : N 沟道 漏源电压(Vdss) : 30V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) : 1.2mA @ 10V 漏极电流(Id) - 最大值 : 10mA 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) : 180mV @ 1µA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 4pF @ 10V 电阻 - RDS(开) : 200 Ohms 功率 - 最大值 : 200mW 工作温度 : 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装 : 3-CP 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

MMBF4393

€0.24

系列 : - 制造商 : ON Semiconductor FET 类型 : N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS) : 30V 漏源电压(Vdss) : 30V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) : 5mA @ 20V 漏极电流(Id) - 最大值 : 5mA @ 20V 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) : 500mV @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 14pF @ 20V 电阻 - RDS(开) : 100 Ohms 功率 - 最大值 : 350mW 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装 : SOT-23-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售