1MS08017E32W31490NOSA1

¥75,148.43

制造商:Infineon Technologies 系列:* 零件状态:在售 配置:- 电压-集电极发射器击穿(最大值):- 电流收集器(Ic)(最大值):- 权力-马克斯:- 集电器截止电流(最大值):- 输入:- 操作温度:- 安装类型:- 包装/箱子:- 供应商设备包:-

2LS20017E42W34854NOSA1

¥16,855.91

系列 : * 制造商 : Infineon Technologies IGBT 类型 : - 配置 : - 电压 - 集射极击穿(最大值) : - 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : - 功率 - 最大值 : - 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) : - 电流 - 集电极截止(最大值) : - 不同 Vce 时的输入电容(Cies) : - 输入 : - NTC 热敏电阻 : - 工作温度 : - 安装类型 : - 封装/外壳 : - 供应商器件封装 : - 零件状态 : 不適用於新設計

2LS20017E42W36702NOSA1

¥25,049.48

系列 : * 制造商 : Infineon Technologies IGBT 类型 : - 配置 : - 电压 - 集射极击穿(最大值) : - 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : - 功率 - 最大值 : - 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) : - 电流 - 集电极截止(最大值) : - 不同 Vce 时的输入电容(Cies) : - 输入 : - NTC 热敏电阻 : - 工作温度 : - 安装类型 : - 封装/外壳 : - 供应商器件封装 : - 零件状态 : 不適用於新設計

2LS20017E42W40403NOSA1

¥16,855.91

系列 : * 制造商 : Infineon Technologies IGBT 类型 : - 配置 : - 电压 - 集射极击穿(最大值) : - 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : - 功率 - 最大值 : - 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) : - 电流 - 集电极截止(最大值) : - 不同 Vce 时的输入电容(Cies) : - 输入 : - NTC 热敏电阻 : - 工作温度 : - 安装类型 : - 封装/外壳 : - 供应商器件封装 : - 零件状态 : 不適用於新設計

2PS06017E32G28213NOSA1

¥23,592.78

系列 : - 制造商 : Infineon Technologies IGBT 类型 : - 配置 : 2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值) : 2 个独立式 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 2 个独立式 功率 - 最大值 : 2 个独立式 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) : - 电流 - 集电极截止(最大值) : - 不同 Vce 时的输入电容(Cies) : - 输入 : 标准 NTC 热敏电阻 : 是 工作温度 : -25°C ~ 55°C 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 模块 供应商器件封装 : 模块 零件状态 : 不適用於新設計

2PS12017E34W32132NOSA1

¥22,046.28

系列 : - 制造商 : Infineon Technologies IGBT 类型 : - 配置 : 三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值) : 三相反相器 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 三相反相器 功率 - 最大值 : 三相反相器 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) : - 电流 - 集电极截止(最大值) : - 不同 Vce 时的输入电容(Cies) : - 输入 : 标准 NTC 热敏电阻 : 无 工作温度 : -25°C ~ 55°C 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 模块 供应商器件封装 : 模块 零件状态 : 不適用於新設計

2PS12017E44G35911NOSA1

¥30,710.73

系列 : - 制造商 : Infineon Technologies IGBT 类型 : - 配置 : 三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值) : 三相反相器 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 三相反相器 功率 - 最大值 : 2160W 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) : 2.45V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值) : 2.45V @ 15V,300A 不同 Vce 时的输入电容(Cies) : 2.45V @ 15V,300A 输入 : 标准 NTC 热敏电阻 : 是 工作温度 : -25°C ~ 55°C 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 模块 供应商器件封装 : 模块 零件状态 : 在售

2PS13512E43W35222NOSA1

¥24,785.25

系列 : PrimeSTACK™ 制造商 : Infineon Technologies IGBT 类型 : - 配置 : 三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值) : 三相反相器 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 三相反相器 功率 - 最大值 : 三相反相器 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) : 2.05V @ 15V, 450A 电流 - 集电极截止(最大值) : 2.05V @ 15V, 450A 不同 Vce 时的输入电容(Cies) : 2.05V @ 15V, 450A 输入 : 标准 NTC 热敏电阻 : 是 工作温度 : -25°C ~ 55°C 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 模块 供应商器件封装 : 模块 零件状态 : 在售

2PS13512E43W39689NOSA1

¥24,785.25

系列 : - 制造商 : Infineon Technologies IGBT 类型 : 沟槽型场截止 配置 : 三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值) : 1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 1200V 功率 - 最大值 : 1200V 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) : - 电流 - 集电极截止(最大值) : - 不同 Vce 时的输入电容(Cies) : - 输入 : 标准 NTC 热敏电阻 : 是 工作温度 : -25°C ~ 55°C 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 模块 供应商器件封装 : 模块 零件状态 : 不適用於新設計

2PS18012E44G38553NOSA1

¥24,785.25

系列 : PrimeSTACK™ 制造商 : Infineon Technologies IGBT 类型 : 沟槽型场截止 配置 : 三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值) : 1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 2560A 功率 - 最大值 : 5600W 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) : - 电流 - 集电极截止(最大值) : - 不同 Vce 时的输入电容(Cies) : - 输入 : 标准 NTC 热敏电阻 : 是 工作温度 : 150°C(TJ) 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 模块 供应商器件封装 : 模块 零件状态 : 在售

2PS18012E44G40113NOSA1

¥24,785.25

系列 : PrimeSTACK™ 制造商 : Infineon Technologies IGBT 类型 : - 配置 : 三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值) : 1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 2560A 功率 - 最大值 : 5600W 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) : - 电流 - 集电极截止(最大值) : - 不同 Vce 时的输入电容(Cies) : - 输入 : 标准 NTC 热敏电阻 : 是 工作温度 : -25°C ~ 60°C 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 模块 供应商器件封装 : 模块 零件状态 : 在售

4PS03012S43G30699NOSA1

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系列 : PrimeSTACK™ 制造商 : Infineon Technologies IGBT 类型 : - 配置 : 全桥 电压 - 集射极击穿(最大值) : 全桥 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 全桥 功率 - 最大值 : 全桥 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) : - 电流 - 集电极截止(最大值) : - 不同 Vce 时的输入电容(Cies) : - 输入 : 标准 NTC 热敏电阻 : 无 工作温度 : -25°C ~ 55°C 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 模块 供应商器件封装 : 模块 零件状态 : 停产