1HN04CH-TL-W

¥1.29

制造商:ON Semiconductor 包装:切割带 (ct) 系列:- 零件状态:在售 FET类型:N通道 技术:金属氧化物 漏源电压(Vdss):100V 25°C下的电流-连续漏极(ID):270mA (Ta) 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):4V, 10V Vgs(th)(最大值)@内径:2.6V @ 100µA VGS(最大):±20V 场效应晶体管特性:- 功耗(最大):- 操作温度:150°C (TJ) 安装类型:表面安装 供应商设备包:3-CPH 包装/箱子:TO-236-3、SC-59、SOT-23-3

1HP04CH-TL-W

¥1.46

制造商:ON Semiconductor 包装:切割带 (ct) 系列:- 零件状态:在售 FET类型:P沟道 技术:金属氧化物 漏源电压(Vdss):100V 25°C下的电流-连续漏极(ID):170mA (Ta) 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):4V, 10V VGS(最大):±20V 场效应晶体管特性:- 功耗(最大):- 操作温度:150°C (TJ) 安装类型:表面安装 供应商设备包:3-CPH 包装/箱子:TO-236-3、SC-59、SOT-23-3

2N6660

¥36.23

系列 : - 制造商 : Microchip Technology FET 类型 : N 沟道 技术 : MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) : 60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 410mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) : 5V,10V 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) : 3 欧姆 @ 1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) : 2V @ 1mA Vgs(最大值) : ±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 50pF @ 24V FET 功能 : - 功率耗散(最大值) : 6.25W(Tc) 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 通孔 供应商器件封装 : TO-39 封装/外壳 : TO-205AD,TO-39-3 金属罐 包装 : 散装 零件状态 : 在售

2N6660

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制造商:Vishay Siliconix 包装:管子 系列:- 零件状态:停产 FET类型:N通道 技术:金属氧化物 漏源电压(Vdss):60V 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):5V, 10V Vgs(th)(最大值)@内径:2V @ 1mA VGS(最大):±20V 场效应晶体管特性:- 操作温度:-55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型:通孔 供应商设备包:TO-205AD (TO-39) 包装/箱子:TO-205AD,TO-39-3金属罐

2N6660-2

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制造商:Vishay Siliconix 包装:管子 系列:- 零件状态:停产 FET类型:N通道 技术:金属氧化物 漏源电压(Vdss):60V 25°C下的电流-连续漏极(ID):990mA (Tc) 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):5V, 10V Vgs(th)(最大值)@内径:2V @ 1mA VGS(最大):±20V 场效应晶体管特性:- 功耗(最大):725mW (Ta), 6.25W (Tc) 操作温度:-55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型:通孔 供应商设备包:to-205ad (to-39) 包装/箱子:TO-205AD,TO-39-3金属罐

2N6660-E3

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制造商:Vishay Siliconix 包装:体积 系列:- 零件状态:停产 FET类型:N通道 技术:金属氧化物 漏源电压(Vdss):60V 25°C下的电流-连续漏极(ID):990mA (Tc) 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):5V, 10V Vgs(th)(最大值)@内径:2V @ 1mA VGS(最大):±20V 场效应晶体管特性:- 功耗(最大):725mW (Ta), 6.25W (Tc) 操作温度:-55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型:通孔 供应商设备包:to-205ad (to-39) 包装/箱子:TO-205AD,TO-39-3金属罐

2N6660JTVP02

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制造商:Vishay Siliconix 包装:管子 系列:- 零件状态:停产 FET类型:N通道 技术:金属氧化物 漏源电压(Vdss):60V 25°C下的电流-连续漏极(ID):990mA (Tc) 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):5V, 10V Vgs(th)(最大值)@内径:2V @ 1mA VGS(最大):±20V 场效应晶体管特性:- 功耗(最大):725mW (Ta), 6.25W (Tc) 操作温度:-55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型:通孔 供应商设备包:to-205ad (to-39) 包装/箱子:TO-205AD,TO-39-3金属罐

2N6660JTX02

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制造商:Vishay Siliconix 包装:管子 系列:- 零件状态:停产 FET类型:N通道 技术:金属氧化物 漏源电压(Vdss):60V 25°C下的电流-连续漏极(ID):990mA (Tc) 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):5V, 10V Vgs(th)(最大值)@内径:2V @ 1mA VGS(最大):±20V 场效应晶体管特性:- 功耗(最大):725mW (Ta), 6.25W (Tc) 操作温度:-55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型:通孔 供应商设备包:to-205ad (to-39) 包装/箱子:TO-205AD,TO-39-3金属罐

2N6660JTXL02

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制造商:Vishay Siliconix 包装:管子 系列:- 零件状态:停产 FET类型:N通道 技术:金属氧化物 漏源电压(Vdss):60V 25°C下的电流-连续漏极(ID):990mA (Tc) 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):5V, 10V Vgs(th)(最大值)@内径:2V @ 1mA VGS(最大):±20V 场效应晶体管特性:- 功耗(最大):725mW (Ta), 6.25W (Tc) 操作温度:-55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型:通孔 供应商设备包:to-205ad (to-39) 包装/箱子:TO-205AD,TO-39-3金属罐

2N6660JTXP02

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制造商:Vishay Siliconix 包装:管子 系列:- 零件状态:停产 FET类型:N通道 技术:金属氧化物 漏源电压(Vdss):60V 25°C下的电流-连续漏极(ID):990mA (Tc) 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):5V, 10V Vgs(th)(最大值)@内径:2V @ 1mA VGS(最大):±20V 场效应晶体管特性:- 功耗(最大):725mW (Ta), 6.25W (Tc) 操作温度:-55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型:通孔 供应商设备包:to-205ad (to-39) 包装/箱子:TO-205AD,TO-39-3金属罐

2N6660JTXV02

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制造商:Vishay Siliconix 包装:管子 系列:- 零件状态:停产 FET类型:N通道 技术:金属氧化物 漏源电压(Vdss):60V 25°C下的电流-连续漏极(ID):990mA (Tc) 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):5V, 10V Vgs(th)(最大值)@内径:2V @ 1mA VGS(最大):±20V 场效应晶体管特性:- 功耗(最大):725mW (Ta), 6.25W (Tc) 操作温度:-55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型:通孔 供应商设备包:to-205ad (to-39) 包装/箱子:TO-205AD,TO-39-3金属罐

2N6661

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制造商:Vishay Siliconix 包装:管子 系列:- 零件状态:停产 FET类型:N通道 技术:金属氧化物 漏源电压(Vdss):90V 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):5V, 10V Vgs(th)(最大值)@内径:2V @ 1mA VGS(最大):±20V 场效应晶体管特性:- 功耗(最大):725mW (Ta), 6.25W (Tc) 操作温度:-55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型:通孔 供应商设备包:39岁 包装/箱子:TO-205AD,TO-39-3金属罐