STS8C5H30L

¥7.07

系列 : STripFET™ III 制造商 : STMicroelectronics FET 类型 : N 和 P 沟道 FET 功能 : 逻辑电平门 漏源电压(Vdss) : 30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 8A,5.4A 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) : 22 毫欧 @ 4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 1V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) : 10nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 857pF @ 25V 功率 - 最大值 : 2W 工作温度 : 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装 : 8-SO 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

STS4DNF60L

¥8.67

系列 : STripFET™ 制造商 : STMicroelectronics FET 类型 : 2 个 N 沟道(双) FET 功能 : 逻辑电平门 漏源电压(Vdss) : 60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 4A 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) : 55 毫欧 @ 2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 2.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) : 15nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 1030pF @ 25V 功率 - 最大值 : 2W 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装 : 8-SO 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

2N7002DWQ-7-F

¥1.58

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated FET 类型 : 2 个 N 沟道(双) FET 功能 : 标准 漏源电压(Vdss) : 60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 230mA 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) : 7.5 欧姆 @ 50mA,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 2V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) : - 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 50pF @ 25V 功率 - 最大值 : 310mW 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : SOT-363 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

2N7002DWH6327XTSA1

¥1.52

系列 : OptiMOS™ 制造商 : Infineon Technologies FET 类型 : 2 个 N 沟道(双) FET 功能 : 逻辑电平门 漏源电压(Vdss) : 60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 300mA 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) : 3 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 2.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) : 0.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 20pF @ 25V 功率 - 最大值 : 500mW 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : PG-SOT363-6 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

2N7002PS,115

¥2.17

系列 : - 制造商 : Nexperia USA Inc. FET 类型 : 2 个 N 沟道(双) FET 功能 : 逻辑电平门 漏源电压(Vdss) : 60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 320mA 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) : 1.6 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 2.4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) : 0.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 50pF @ 10V 功率 - 最大值 : 420mW 工作温度 : 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : 6-TSSOP 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

SSM6N44FE,LM

¥1.71

系列 : - 制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage FET 类型 : 2 个 N 沟道(双) FET 功能 : 逻辑电平门 漏源电压(Vdss) : 30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 100mA 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) : 4 欧姆 @ 10mA,4V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 1.5V @ 100µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) : - 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 8.5pF @ 3V 功率 - 最大值 : 150mW 工作温度 : 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SOT-563,SOT-666 供应商器件封装 : ES6(1.6x1.6) 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

NX3008NBKS,115

¥2.07

系列 : 汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS™ 制造商 : Nexperia USA Inc. FET 类型 : 2 个 N 沟道(双) FET 功能 : 逻辑电平门 漏源电压(Vdss) : 30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 350mA 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) : 1.4 欧姆 @ 350mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 1.1V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) : 0.68nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 50pF @ 15V 功率 - 最大值 : 445mW 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : 6-TSSOP 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

DMC2990UDJ-7

¥1.59

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated FET 类型 : N 和 P 沟道 FET 功能 : 逻辑电平门 漏源电压(Vdss) : 20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 450mA,310mA 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) : 990 毫欧 @ 100mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 1V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) : 0.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 27.6pF @ 15V 功率 - 最大值 : 350mW 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SOT-963 供应商器件封装 : SOT-963 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

DMN5L06VK-7

¥1.89

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated FET 类型 : 2 个 N 沟道(双) FET 功能 : 逻辑电平门 漏源电压(Vdss) : 50V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 280mA 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) : 2 欧姆 @ 50mA,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 1V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) : - 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 50pF @ 25V 功率 - 最大值 : 250mW 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SOT-563,SOT-666 供应商器件封装 : SOT-563 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

BSS84AKS,115

¥1.95

系列 : 汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS™ 制造商 : Nexperia USA Inc. FET 类型 : 2 个 P 沟道(双) FET 功能 : 逻辑电平门 漏源电压(Vdss) : 50V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 160mA 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) : 7.5 欧姆 @ 100mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 2.1V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) : 0.35nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 36pF @ 25V 功率 - 最大值 : 445mW 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : 6-TSSOP 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

DMG1029SV-7

¥1.62

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated FET 类型 : N 和 P 沟道 FET 功能 : 逻辑电平门 漏源电压(Vdss) : 60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 500mA,360mA 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) : 1.7 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 2.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) : 0.3nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 30pF @ 25V 功率 - 最大值 : 450mW 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SOT-563,SOT-666 供应商器件封装 : SOT-563 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

DMG1023UV-7

¥1.62

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated FET 类型 : 2 个 P 沟道(双) FET 功能 : 逻辑电平门 漏源电压(Vdss) : 20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 1.03A 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) : 750 毫欧 @ 430mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 1V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) : 0.62nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 59.76pF @ 16V 功率 - 最大值 : 530mW 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SOT-563,SOT-666 供应商器件封装 : SOT-563 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售