19MT050XF

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系列 : HEXFET® 制造商 : Vishay Semiconductor Diodes Division FET 类型 : 4 个 N 通道(H 桥) FET 功能 : 标准 漏源电压(Vdss) : 500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 31A 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) : 220 毫欧 @ 19A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 6V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) : 160nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 7210pF @ 25V 功率 - 最大值 : 1140W 工作温度 : -40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 16-MTP 模块 供应商器件封装 : 16-MTP 包装 : 散装 零件状态 : 停產

2N7002BKS,115

¥1.31

系列 : 汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS™ 制造商 : Nexperia USA Inc. FET 类型 : 2 个 N 沟道(双) FET 功能 : 逻辑电平门 漏源电压(Vdss) : 60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 300mA 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) : 1.6 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 2.1V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) : 0.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 50pF @ 10V 功率 - 最大值 : 295mW 工作温度 : 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : 6-TSSOP 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

2N7002BKS/ZLX

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系列 : - 制造商 : Nexperia USA Inc. FET 类型 : 2 个 N 沟道(双) FET 功能 : 逻辑电平门 漏源电压(Vdss) : 60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 300mA(Ta) 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) : 1.6 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 2.1V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) : 0.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 50pF @ 10V 功率 - 最大值 : 1.04W 工作温度 : 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : SOT-363 包装 : SOT-363 零件状态 : 停產

2N7002BKV,115

¥1.18

系列 : 汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS™ 制造商 : Nexperia USA Inc. FET 类型 : 2 个 N 沟道(双) FET 功能 : 逻辑电平门 漏源电压(Vdss) : 60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 340mA 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) : 1.6 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 2.1V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) : 0.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 50pF @ 10V 功率 - 最大值 : 350mW 工作温度 : 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SOT-563,SOT-666 供应商器件封装 : SOT-666 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

2N7002DW

¥1.85

系列 : - 制造商 : ON Semiconductor FET 类型 : 2 个 N 沟道(双) FET 功能 : 逻辑电平门 漏源电压(Vdss) : 60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 115mA 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) : 7.5 欧姆 @ 50mA,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 2V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) : - 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 50pF @ 25V 功率 - 最大值 : 200mW 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : SC-70-6 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

2N7002DW L6327

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系列 : OptiMOS™ 制造商 : Infineon Technologies FET 类型 : 2 个 N 沟道(双) FET 功能 : 逻辑电平门 漏源电压(Vdss) : 60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 300mA 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) : 3 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 2.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) : 0.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 20pF @ 25V 功率 - 最大值 : 500mW 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : PG-SOT363-6 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停產

2N7002DW-7

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系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated FET 类型 : 2 个 N 沟道(双) FET 功能 : 标准 漏源电压(Vdss) : 60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 230mA 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) : 7.5 欧姆 @ 50mA,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 2V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) : - 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 50pF @ 25V 功率 - 最大值 : 310mW 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : SOT-363 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停产

2N7002DW-7-F

¥1.45

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated FET 类型 : 2 个 N 沟道(双) FET 功能 : 标准 漏源电压(Vdss) : 60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 230mA 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) : 7.5 欧姆 @ 50mA,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 2V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) : - 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 50pF @ 25V 功率 - 最大值 : 310mW 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : SOT-363 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

2N7002DWA-7

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系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated FET 类型 : 2 个 N 沟道(双) FET 功能 : 逻辑电平门 漏源电压(Vdss) : 60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 180mA 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) : 6 欧姆 @ 115mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 2.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) : 0.87nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 22pF @ 25V 功率 - 最大值 : 300mW 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : SOT-363 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停產

2N7002DWH6327XTSA1

¥0.84

系列 : OptiMOS™ 制造商 : Infineon Technologies FET 类型 : 2 个 N 沟道(双) FET 功能 : 逻辑电平门 漏源电压(Vdss) : 60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 300mA 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) : 3 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 2.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) : 0.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 20pF @ 25V 功率 - 最大值 : 500mW 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : PG-SOT363-6 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

2N7002DWQ-7-F

¥0.88

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated FET 类型 : 2 个 N 沟道(双) FET 功能 : 标准 漏源电压(Vdss) : 60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 230mA 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) : 7.5 欧姆 @ 50mA,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 2V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) : - 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 50pF @ 25V 功率 - 最大值 : 310mW 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : SOT-363 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

2N7002DW-TP

¥1.20

系列 : - 制造商 : Micro Commercial Co FET 类型 : 2 个 N 沟道(双) FET 功能 : 标准 漏源电压(Vdss) : 60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 115mA 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) : 7.5 欧姆 @ 50mA,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 2V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) : - 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 50pF @ 25V 功率 - 最大值 : 200mW 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : SOT-363 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售