MMBT3904-TP

¥3.83

系列 : - 制造商 : Micro Commercial Co 晶体管类型 : NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 200mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 40V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值) : 50nA(ICBO) 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 100 @ 10mA,1V 功率 - 最大值 : 350mW 频率 - 跃迁 : 300MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装 : SOT-23 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

BC846BLT1G

¥6.06

系列 : - 制造商 : ON Semiconductor 晶体管类型 : NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 65V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值) : 15nA(ICBO) 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 200 @ 2mA,5V 功率 - 最大值 : 300mW 频率 - 跃迁 : 100MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装 : SOT-23-3(TO-236) 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

MMBT3904-7-F

¥6.20

系列 : 汽车级,AEC-Q101 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 200mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 40V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值) : 50nA(ICBO) 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 100 @ 10mA,1V 功率 - 最大值 : 300mW 频率 - 跃迁 : 300MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装 : SOT-23-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

MMBT3906-7-F

¥4.98

系列 : 汽车级,AEC-Q101 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 200mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 40V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值) : - 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 100 @ 10mA,1V 功率 - 最大值 : 300mW 频率 - 跃迁 : 250MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装 : SOT-23-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

MMBT2222A-7-F

¥6.09

系列 : 汽车级,AEC-Q101 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 600mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 40V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值) : 10nA(ICBO) 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值 : 310mW 频率 - 跃迁 : 300MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装 : SOT-23-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

MMBT4401-7-F

¥6.09

系列 : 汽车级,AEC-Q101 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 600mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 40V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 750mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值) : 100nA 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 100 @ 150mA,1V 功率 - 最大值 : 310mW 频率 - 跃迁 : 250MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装 : SOT-23-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

MMBT2907A-7-F

¥7.58

系列 : 汽车级,AEC-Q101 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 600mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 60V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 1.6V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值) : 10nA(ICBO) 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值 : 300mW 频率 - 跃迁 : 200MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装 : SOT-23-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

MMBT3904LT1G

¥7.16

系列 : - 制造商 : ON Semiconductor 晶体管类型 : NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 200mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 40V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值) : - 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 100 @ 10mA,1V 功率 - 最大值 : 300mW 频率 - 跃迁 : 300MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装 : SOT-23-3(TO-236) 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

MMBT3906LT1G

¥7.16

系列 : - 制造商 : ON Semiconductor 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 200mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 40V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值) : - 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 100 @ 10mA,1V 功率 - 最大值 : 300mW 频率 - 跃迁 : 250MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装 : SOT-23-3(TO-236) 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

MMBT3906TT1G

¥7.58

系列 : - 制造商 : ON Semiconductor 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 200mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 40V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值) : - 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 100 @ 10mA,1V 功率 - 最大值 : 200mW 频率 - 跃迁 : 250MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SC-75,SOT-416 供应商器件封装 : SC-75,SOT-416 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

MMBT2907ALT1G

¥7.71

系列 : - 制造商 : ON Semiconductor 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 600mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 60V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 1.6V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值) : 10nA(ICBO) 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值 : 300mW 频率 - 跃迁 : 200MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装 : SOT-23-3(TO-236) 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

MMBTA92LT1G

¥8.92

系列 : - 制造商 : ON Semiconductor 晶体管类型 : PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 500mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 300V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 500mV @ 2mA,20mA 电流 - 集电极截止(最大值) : 250nA(ICBO) 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 25 @ 30mA,10V 功率 - 最大值 : 300mW 频率 - 跃迁 : 50MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装 : SOT-23-3(TO-236) 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售