MMUN2233LT1G

¥6.20

制造商:ON Semiconductor 包装:切割带 (ct) 系列:- 零件状态:在售 晶体管类型:NPN-预偏压 电流收集器(Ic)(最大值):100mA 电压-集电极发射器击穿(最大值):50V 电阻-发射极基极(r2):47千欧 集电器截止电流(最大值):500nA 频率转换:- 权力-马克斯:246mW 安装类型:表面安装 包装/箱子:TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 供应商设备包:SOT-23-3(TO-236)

DTC143EET1G

¥4.59

系列 : - 制造商 : ON Semiconductor 晶体管类型 : NPN - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 50V 电阻器 - 基底(R1) : 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(R2) : 4.7 kOhms 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 15 @ 5mA,10V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 250mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值) : 500nA 频率 - 跃迁 : 500nA 功率 - 最大值 : 200mW 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SC-75,SOT-416 供应商器件封装 : SC-75,SOT-416 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

MMUN2214LT1G

¥6.56

制造商:ON Semiconductor 包装:切割带 (ct) 系列:- 零件状态:在售 晶体管类型:NPN-预偏压 电流收集器(Ic)(最大值):100mA 电压-集电极发射器击穿(最大值):50V 电阻器-底座(R1):10千欧 电阻-发射极基极(r2):47 kOhms 直流电流增益(hfe)(min)@IC,VCE:80 @ 5mA, 10V Ib、Ic时的VCE饱和度(最大值):250mV @ 300µA, 10mA 集电器截止电流(最大值):500nA 频率转换:- 权力-马克斯:246mW 安装类型:表面安装 包装/箱子:TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 供应商设备包:SOT-23-3(TO-236)

MMUN2211LT1G

¥5.27

制造商:ON Semiconductor 包装:切割带 (ct) 系列:- 零件状态:在售 晶体管类型:NPN-预偏压 电流收集器(Ic)(最大值):100mA 电压-集电极发射器击穿(最大值):50V 电阻器-底座(R1):10 kOhms 电阻-发射极基极(r2):10 kOhms Ib、Ic时的VCE饱和度(最大值):250mV @ 300µA, 10mA 集电器截止电流(最大值):500nA 频率转换:- 权力-马克斯:246mW 安装类型:表面安装 包装/箱子:TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 供应商设备包:SOT-23-3(TO-236)

MMUN2216LT1G

¥4.98

制造商:ON Semiconductor 包装:切割带 (ct) 系列:- 零件状态:在售 晶体管类型:NPN-预偏压 电流收集器(Ic)(最大值):100mA 电压-集电极发射器击穿(最大值):50V 电阻器-底座(R1):4.7 kOhms 电阻-发射极基极(r2):- 集电器截止电流(最大值):500nA 频率转换:- 权力-马克斯:400mW 安装类型:表面安装 包装/箱子:TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 供应商设备包:SOT-23-3(TO-236)

MMUN2213LT1G

¥5.27

制造商:ON Semiconductor 包装:切割带 (ct) 系列:- 零件状态:在售 晶体管类型:NPN-预偏压 电流收集器(Ic)(最大值):100mA 电压-集电极发射器击穿(最大值):50V 电阻器-底座(R1):47 kOhms 电阻-发射极基极(r2):47 kOhms 直流电流增益(hfe)(min)@IC,VCE:80 @ 5mA, 10V Ib、Ic时的VCE饱和度(最大值):250mV @ 300µA, 10mA 集电器截止电流(最大值):500nA 频率转换:- 权力-马克斯:246mW 安装类型:表面安装 包装/箱子:TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 供应商设备包:SOT-23-3(TO-236)

MMUN2113LT1G

¥6.56

制造商:ON Semiconductor 包装:切割带 (ct) 系列:- 零件状态:在售 晶体管类型:PNP-预偏压 电流收集器(Ic)(最大值):100mA 电压-集电极发射器击穿(最大值):50V 电阻器-底座(R1):47 kOhms 电阻-发射极基极(r2):47 kOhms 直流电流增益(hfe)(min)@IC,VCE:80 @ 5mA, 10V Ib、Ic时的VCE饱和度(最大值):250mV @ 300µA, 10mA 集电器截止电流(最大值):500nA 频率转换:- 权力-马克斯:246mW 安装类型:表面安装 包装/箱子:TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 供应商设备包:SOT-23-3(TO-236)

MMUN2111LT1G

¥5.27

制造商:ON Semiconductor 包装:切割带 (ct) 系列:- 零件状态:在售 晶体管类型:PNP-预偏压 电流收集器(Ic)(最大值):100mA 电压-集电极发射器击穿(最大值):50V 电阻器-底座(R1):10 kOhms 电阻-发射极基极(r2):10 kOhms 直流电流增益(hfe)(min)@IC,VCE:35 @ 5mA, 10V Ib、Ic时的VCE饱和度(最大值):250mV @ 300µA, 10mA 集电器截止电流(最大值):500nA 频率转换:- 权力-马克斯:246mW 安装类型:表面安装 包装/箱子:TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 供应商设备包:SOT-23-3(TO-236)

MMUN2215LT1G

¥4.98

制造商:ON Semiconductor 包装:切割带 (ct) 系列:- 零件状态:在售 晶体管类型:NPN-预偏压 电流收集器(Ic)(最大值):100mA 电压-集电极发射器击穿(最大值):50V 电阻器-底座(R1):10 kOhms 电阻-发射极基极(r2):- 直流电流增益(hfe)(min)@IC,VCE:160 @ 5mA, 10V Ib、Ic时的VCE饱和度(最大值):250mV @ 1mA, 10mA 集电器截止电流(最大值):500nA 频率转换:- 权力-马克斯:400mW 安装类型:表面安装 包装/箱子:TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 供应商设备包:SOT-23-3(TO-236)

MUN5214T1G

¥5.74

制造商:ON Semiconductor 包装:切割带 (ct) 系列:- 零件状态:在售 晶体管类型:NPN-预偏压 电流收集器(Ic)(最大值):100mA 电压-集电极发射器击穿(最大值):50V 电阻器-底座(R1):10 kOhms 电阻-发射极基极(r2):47 kOhms 直流电流增益(hfe)(min)@IC,VCE:80 @ 5mA, 10V Ib、Ic时的VCE饱和度(最大值):250mV @ 300µA, 10mA 集电器截止电流(最大值):500nA 频率转换:- 权力-马克斯:202mW 安装类型:表面安装 包装/箱子:SC-70,SOT-323 供应商设备包:SC-70-3(SOT323)

DTC114YET1G

¥6.49

制造商:ON Semiconductor 包装:切割带 (ct) 系列:- 零件状态:在售 晶体管类型:NPN-预偏压 电流收集器(Ic)(最大值):100mA 电压-集电极发射器击穿(最大值):50V 电阻器-底座(R1):10 kOhms 电阻-发射极基极(r2):47 kOhms 直流电流增益(hfe)(min)@IC,VCE:80 @ 5mA, 10V Ib、Ic时的VCE饱和度(最大值):250mV @ 300µA, 10mA 集电器截止电流(最大值):500nA 频率转换:- 权力-马克斯:200mW 安装类型:表面安装 包装/箱子:SC-75, SOT-416 供应商设备包:SC-75, SOT-416

DTC143ZET1G

¥7.63

制造商:ON Semiconductor 包装:切割带 (ct) 系列:- 零件状态:在售 晶体管类型:NPN-预偏压 电流收集器(Ic)(最大值):100mA 电压-集电极发射器击穿(最大值):50V 电阻器-底座(R1):4.7 kOhms 电阻-发射极基极(r2):47 kOhms 直流电流增益(hfe)(min)@IC,VCE:80 @ 5mA, 10V Ib、Ic时的VCE饱和度(最大值):250mV @ 1mA, 10mA 集电器截止电流(最大值):500nA 频率转换:- 权力-马克斯:200mW 安装类型:表面安装 包装/箱子:SC-75, SOT-416 供应商设备包:SC-75, SOT-416