BFR93AE6327HTSA1

$0.18

系列 : - 制造商 : Infineon Technologies 晶体管类型 : NPN 电压 - 集射极击穿(最大值) : 12V 频率 - 跃迁 : 6GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) : 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益 : 9.5dB ~ 14.5dB 功率 - 最大值 : 300mW 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 70 @ 30mA,8V 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 90mA 工作温度 : 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装 : SOT-23-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

BFP420H6327XTSA1

$0.24

系列 : - 制造商 : Infineon Technologies 晶体管类型 : NPN 电压 - 集射极击穿(最大值) : 5V 频率 - 跃迁 : 25GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) : 1.1dB @ 1.8GHz 增益 : 21dB 功率 - 最大值 : 160mW 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 60 @ 20mA,4V 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 35mA 工作温度 : 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SC-82A,SOT-343 供应商器件封装 : SOT-343 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

BFP640H6327XTSA1

$0.23

系列 : - 制造商 : Infineon Technologies 晶体管类型 : NPN 电压 - 集射极击穿(最大值) : 4.5V 频率 - 跃迁 : 40GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) : 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz 增益 : 12.5dB 功率 - 最大值 : 200mW 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 110 @ 30mA,3V 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 50mA 工作温度 : 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SC-82A,SOT-343 供应商器件封装 : PG-SOT343-4 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

BFS481H6327XTSA1

$0.38

系列 : - 制造商 : Infineon Technologies 晶体管类型 : 2 NPN(双) 电压 - 集射极击穿(最大值) : 12V 频率 - 跃迁 : 8GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) : 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益 : 20dB 功率 - 最大值 : 175mW 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 70 @ 5mA,8V 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 20mA 工作温度 : 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : P-SOT363-6 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

2N3866

$1.64

系列 : - 制造商 : Central Semiconductor Corp 晶体管类型 : NPN 电压 - 集射极击穿(最大值) : 30V 频率 - 跃迁 : 500MHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) : - 增益 : - 功率 - 最大值 : 5W 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 10 @ 50mA,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 400mA 工作温度 : -65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-205AD,TO-39-3 金属罐 供应商器件封装 : TO-39 包装 : 散装 零件状态 : 在售

HFA3134IHZ96

$4.06

系列 : - 制造商 : Renesas Electronics America Inc. 晶体管类型 : 2 NPN(双) 电压 - 集射极击穿(最大值) : 9V 频率 - 跃迁 : 8.5GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) : 2.4dB @ 1GHz 增益 : - 功率 - 最大值 : - 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 48 @ 10mA,2V 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 26mA 工作温度 : 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SOT-23-6 供应商器件封装 : SOT-23-6 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

2N5109

$1.78

系列 : - 制造商 : Central Semiconductor Corp 晶体管类型 : NPN 电压 - 集射极击穿(最大值) : 20V 频率 - 跃迁 : 1.2GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) : 3dB @ 200MHz 增益 : - 功率 - 最大值 : 1W 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 40 @ 50mA,15V 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 400mA 工作温度 : -65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-205AD,TO-39-3 金属罐 供应商器件封装 : TO-39 包装 : 散装 零件状态 : 在售

HFA3096BZ

$3.79

系列 : - 制造商 : Renesas Electronics America Inc. 晶体管类型 : 3 NPN + 2 PNP 电压 - 集射极击穿(最大值) : 12V,15V 频率 - 跃迁 : 8GHz,5.5GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) : 3.5dB @ 1GHz 增益 : - 功率 - 最大值 : 150mW 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 40 @ 10mA,2V / 20 @ 10mA,2V 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 65mA 工作温度 : 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装 : 16-SOIC 包装 : - 零件状态 : 在售

MRF448

$102.53

系列 : - 制造商 : M/A-Com Technology Solutions 晶体管类型 : NPN 电压 - 集射极击穿(最大值) : 50V 频率 - 跃迁 : - 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) : - 增益 : 14dB 功率 - 最大值 : 250W 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 10 @ 5A,10V 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 16A 工作温度 : - 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 211-11,2 型 供应商器件封装 : 211-11,2 型 包装 : 托盘 零件状态 : 在售

KST10MTF

$0.10

系列 : - 制造商 : ON Semiconductor 晶体管类型 : NPN 电压 - 集射极击穿(最大值) : 25V 频率 - 跃迁 : 650MHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) : - 增益 : - 功率 - 最大值 : 350mW 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 60 @ 4mA,10V 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : - 工作温度 : - 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装 : SOT-23-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

MMBTH10LT1G

$0.11

系列 : - 制造商 : ON Semiconductor 晶体管类型 : NPN 电压 - 集射极击穿(最大值) : 25V 频率 - 跃迁 : 650MHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) : - 增益 : - 功率 - 最大值 : 225mW 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 60 @ 4mA,10V 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : - 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装 : SOT-23-3(TO-236) 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

MMBTH10-4LT1G

$0.08

系列 : - 制造商 : ON Semiconductor 晶体管类型 : NPN 电压 - 集射极击穿(最大值) : 25V 频率 - 跃迁 : 800MHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) : - 增益 : - 功率 - 最大值 : 225mW 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 120 @ 4mA,10V 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : - 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装 : SOT-23-3(TO-236) 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售