BC846BDW1T1G

¥0.71

系列 : - 制造商 : ON Semiconductor 晶体管类型 : 2 NPN(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 65V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值) : 15nA(ICBO) 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 200 @ 2mA,5V 功率 - 最大值 : 380mW 频率 - 跃迁 : 100MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : SC-88/SC70-6/SOT-363 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

BC847BS-7-F

¥0.65

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : 2 NPN(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 45V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值) : 20nA(ICBO) 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 200 @ 2mA,5V 功率 - 最大值 : 200mW 频率 - 跃迁 : 100MHz 工作温度 : -65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : SOT-363 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

BC857BV,115

¥1.46

系列 : 汽车级,AEC-Q101 制造商 : Nexperia USA Inc. 晶体管类型 : 2 PNP(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 45V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值) : 15nA(ICBO) 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 200 @ 2mA,5V 功率 - 最大值 : 200mW 频率 - 跃迁 : 100MHz 工作温度 : 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SOT-563,SOT-666 供应商器件封装 : SOT-666 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

MMDT5401-7-F

¥1.79

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : 2 PNP(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 200mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 150V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 500mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值) : 50nA(ICBO) 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 60 @ 10mA,5V 功率 - 最大值 : 200mW 频率 - 跃迁 : 300MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : SOT-363 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

MMDT5551-7-F

¥1.79

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : 2 NPN(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 200mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 160V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 200mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值) : 50nA(ICBO) 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 80 @ 10mA,5V 功率 - 最大值 : 200mW 频率 - 跃迁 : 300MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : SOT-363 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

BC857BV-7

¥1.50

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : 2 PNP(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 45V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值) : 15nA(ICBO) 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 220 @ 2mA,5V 功率 - 最大值 : 150mW 频率 - 跃迁 : 100MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SOT-563,SOT-666 供应商器件封装 : SOT-563 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

MMDT3904-7-F

¥1.33

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : 2 NPN(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 200mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 40V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值) : 50nA(ICBO) 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 100 @ 10mA,1V 功率 - 最大值 : 200mW 频率 - 跃迁 : 300MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : SOT-363 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

DMMT5401-7-F

¥1.78

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : 2 PNP(双)配对 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 200mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 150V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 500mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值) : 50nA(ICBO) 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 60 @ 10mA,5V 功率 - 最大值 : 300mW 频率 - 跃迁 : 300MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SOT-23-6 供应商器件封装 : SOT-26 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

BC817UPNE6327HTSA1

¥0.34

系列 : - 制造商 : Infineon Technologies 晶体管类型 : NPN,PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 500mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 45V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 700mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值) : 100nA(ICBO) 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 160 @ 100mA,1V 功率 - 最大值 : 330mW 频率 - 跃迁 : 170MHz 工作温度 : 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SC-74,SOT-457 供应商器件封装 : PG-SC74-6 包装 : 标准卷带 零件状态 : 最後搶購

FMB3904

¥1.47

系列 : - 制造商 : ON Semiconductor 晶体管类型 : 2 NPN(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 200mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 40V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值) : - 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 100 @ 10mA,1V 功率 - 最大值 : 700mW 频率 - 跃迁 : 250MHz 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装 : SuperSOT™-6 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

ULN2004D1013TR

¥1.65

系列 : - 制造商 : STMicroelectronics 晶体管类型 : 7 NPN 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 500mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 50V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 1.6V @ 500µA,350mA 电流 - 集电极截止(最大值) : 50µA 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 1000 @ 350mA,2V 功率 - 最大值 : - 频率 - 跃迁 : - 工作温度 : -40°C ~ 85°C(TA) 安装类型 : -40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳 : 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装 : 16-SO 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

ULN2003D1013TR

¥2.69

系列 : - 制造商 : STMicroelectronics 晶体管类型 : 7 NPN 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 500mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 50V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 1.6V @ 500µA,350mA 电流 - 集电极截止(最大值) : 50µA 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 1000 @ 350mA,2V 功率 - 最大值 : - 频率 - 跃迁 : - 工作温度 : -40°C ~ 85°C(TA) 安装类型 : -40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳 : 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装 : 16-SO 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售