ADC144EUQ-13

¥0.86

系列 : 汽车级,AEC-Q101 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : 2 个 NPN 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : - 电阻器 - 基底(R1) : 47 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2) : 47 千欧 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 68 @ 5mA,5V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 300mV @ 500µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值) : - 频率 - 跃迁 : 250MHz 功率 - 最大值 : 270mW 封装/外壳 : 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : SOT-363 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

BCR 116S E6727

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系列 : - 制造商 : Infineon Technologies 晶体管类型 : 2 个 NPN 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 50V 电阻器 - 基底(R1) : 4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2) : 47 千欧 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 70 @ 5mA,5V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 300mV @ 500µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值) : - 频率 - 跃迁 : 150MHz 功率 - 最大值 : 250mW 封装/外壳 : 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : PG-SOT363-6 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停產

BCR 116S H6727

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系列 : - 制造商 : Infineon Technologies 晶体管类型 : 2 个 NPN 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 50V 电阻器 - 基底(R1) : 4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2) : 47 千欧 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 70 @ 5mA,5V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 300mV @ 500µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值) : - 频率 - 跃迁 : 150MHz 功率 - 最大值 : 250mW 封装/外壳 : 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : PG-SOT363-6 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停产

BCR 133S H6444

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系列 : - 制造商 : Infineon Technologies 晶体管类型 : 2 个 NPN 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 50V 电阻器 - 基底(R1) : 10 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2) : 10 千欧 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 30 @ 5mA,5V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 300mV @ 500µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值) : - 频率 - 跃迁 : 130MHz 功率 - 最大值 : 250mW 封装/外壳 : 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : PG-SOT363-6 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停產

BCR 141S E6727

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系列 : - 制造商 : Infineon Technologies 晶体管类型 : 2 个 NPN 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 50V 电阻器 - 基底(R1) : 22 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2) : 22 千欧 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 50 @ 5mA,5V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 300mV @ 500µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值) : - 频率 - 跃迁 : 130MHz 功率 - 最大值 : 250mW 封装/外壳 : 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : PG-SOT363-6 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停產

BCR 141S H6727

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系列 : - 制造商 : Infineon Technologies 晶体管类型 : 2 个 NPN 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 50V 电阻器 - 基底(R1) : 22 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2) : 22 千欧 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 50 @ 5mA,5V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 300mV @ 500µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值) : - 频率 - 跃迁 : 130MHz 功率 - 最大值 : 250mW 封装/外壳 : 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : PG-SOT363-6 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停产

BCR 148S H6827

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系列 : - 制造商 : Infineon Technologies 晶体管类型 : 2 个 NPN 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 50V 电阻器 - 基底(R1) : 47 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2) : 47 千欧 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 70 @ 5mA,5V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 300mV @ 500µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值) : - 频率 - 跃迁 : 100MHz 功率 - 最大值 : 250mW 封装/外壳 : 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : PG-SOT363-6 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停產

BCR 22PN H6727

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系列 : - 制造商 : Infineon Technologies 晶体管类型 : 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 50V 电阻器 - 基底(R1) : 22 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2) : 22 千欧 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 50 @ 5mA,5V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 300mV @ 500µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值) : - 频率 - 跃迁 : 130MHz 功率 - 最大值 : 250mW 封装/外壳 : 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : PG-SOT363-6 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停產

BCR 48PN H6727

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系列 : - 制造商 : Infineon Technologies 晶体管类型 : 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 70mA,100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 50V 电阻器 - 基底(R1) : 47 千欧,2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2) : 47 千欧 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 70 @ 5mA,5V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 300mV @ 500µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值) : - 频率 - 跃迁 : 100MHz,200MHz 功率 - 最大值 : 250mW 封装/外壳 : 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : PG-SOT363-6 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停產

BCR08PNB6327XT

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系列 : - 制造商 : Infineon Technologies 晶体管类型 : 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 50V 电阻器 - 基底(R1) : 2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2) : 47 千欧 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 70 @ 5mA,5V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 300mV @ 500µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值) : - 频率 - 跃迁 : 170MHz 功率 - 最大值 : 250mW 封装/外壳 : 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : PG-SOT363-6 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停产

BCR08PNE6327BTSA1

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系列 : - 制造商 : Infineon Technologies 晶体管类型 : 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 50V 电阻器 - 基底(R1) : 2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2) : 47 千欧 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 70 @ 5mA,5V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 300mV @ 500µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值) : - 频率 - 跃迁 : 170MHz 功率 - 最大值 : 250mW 封装/外壳 : 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : PG-SOT363-6 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停產

BCR08PNE6433HTMA1

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系列 : - 制造商 : Infineon Technologies 晶体管类型 : 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 50V 电阻器 - 基底(R1) : 2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2) : 47 千欧 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 70 @ 5mA,5V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 300mV @ 500µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值) : - 频率 - 跃迁 : 170MHz 功率 - 最大值 : 250mW 封装/外壳 : 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : PG-SOT363-6 包装 : 标准卷带 零件状态 : 停產