Wolfspeed

- Cree’s power and RF division is now known as Wolfspeed, A Cree Company. Wolfspeed is liberating power and wireless systems from the limitations of silicon by leading the innovation and commercialization of next-generation systems based on silicon carbide and gallium nitride.

C2D05120A

¥48.21

系列 : Zero Recovery™ 制造商 : Cree/Wolfspeed 二极管类型 : 碳化硅肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值) : 1200V 电流 - 平均整流(Io) : 17.5A(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf : 1.8V @ 5A 速度 : 无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间(trr) : 0ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 200µA @ 1200V 不同 Vr,F 时的电容 : 455pF @ 0V,1MHz 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-220-2 供应商器件封装 : TO-220-2 包装 : 管件 工作温度 - 结 : -55°C ~ 175°C 零件状态 : 停產

C2D10120D

¥108.88

系列 : Zero Recovery™ 制造商 : Cree/Wolfspeed 二极管配置 : 1 对共阴极 二极管类型 : 碳化硅肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值) : 1200V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管) : 10A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf : 1.8V @ 5A 速度 : 无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间(trr) : 0ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 : 200µA @ 1200V 工作温度 - 结 : -55°C ~ 175°C 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-247-3 供应商器件封装 : TO-247-3 包装 : 管件 零件状态 : 停產

C2M0025120D

¥470.74

制造商:Cree/Wolfspeed 包装:管子 系列:Z-FET™ 零件状态:在售 FET类型:N通道 技术:SiCFET(碳化硅) 漏源电压(Vdss):1200V 25°C下的电流-连续漏极(ID):90A (Tc) 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):20V VGS(最大):+25V, -10V 场效应晶体管特性:- 操作温度:-55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型:通孔 供应商设备包:TO-247-3 包装/箱子:TO-247-3

C2M0040120D

¥275.91

制造商:Cree/Wolfspeed 包装:管子 系列:Z-FET™ 零件状态:在售 FET类型:N通道 技术:SiCFET(碳化硅) 漏源电压(Vdss):1200V 25°C下的电流-连续漏极(ID):60A (Tc) 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):20V VGS(最大):+25V, -10V 场效应晶体管特性:- 功耗(最大):330W (Tc) 操作温度:-55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型:通孔 供应商设备包:TO-247-3 包装/箱子:TO-247-3

C2M0045170D

¥544.53

制造商:Cree/Wolfspeed 包装:管子 系列:C2M™ 零件状态:在售 FET类型:N通道 技术:SiCFET(碳化硅) 漏源电压(Vdss):1700V 25°C下的电流-连续漏极(ID):72A (Tc) 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):20V VGS(最大):+25V, -10V 场效应晶体管特性:- 功耗(最大):520W (Tc) 操作温度:-40°C ~ 150°C (TJ) 安装类型:通孔 供应商设备包:TO-247-3 包装/箱子:TO-247-3

C2M0045170P

¥731.96

制造商:Cree/Wolfspeed 包装:管子 系列:C2M™ 零件状态:在售 FET类型:N通道 技术:SiCFET(碳化硅) 漏源电压(Vdss):1700V 25°C下的电流-连续漏极(ID):72A (Tc) 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):20V Vgs(th)(最大值)@内径:4V @ 18mA VGS(最大):+25V, -10V 场效应晶体管特性:- 功耗(最大):520W (Tc) 操作温度:-40°C ~ 150°C (TJ) 安装类型:通孔 供应商设备包:TO-247-4L 包装/箱子:TO-247-4

C2M0080120D

¥105.46

制造商:Cree/Wolfspeed 包装:体积 系列:C2M™ 零件状态:在售 FET类型:N通道 技术:SiCFET(碳化硅) 漏源电压(Vdss):1200V 25°C下的电流-连续漏极(ID):36A (Tc) 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):20V VGS(最大):+25V, -10V 场效应晶体管特性:- 操作温度:-55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型:通孔 供应商设备包:TO-247-3 包装/箱子:TO-247-3

C2M0080170P

¥243.73

制造商:Cree/Wolfspeed 包装:管子 系列:C2M™ 零件状态:在售 FET类型:N通道 技术:SiCFET(碳化硅) 漏源电压(Vdss):1700V 25°C下的电流-连续漏极(ID):40A (Tc) 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):20V VGS(最大):+25V, -10V 场效应晶体管特性:- 功耗(最大):277W (Tc) 操作温度:-55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型:通孔 供应商设备包:TO-247-4L 包装/箱子:TO-247-4

C2M0160120D

¥43.99

制造商:Cree/Wolfspeed 包装:管子 系列:Z-FET™ 零件状态:在售 FET类型:N通道 技术:SiCFET(碳化硅) 漏源电压(Vdss):1200V 25°C下的电流-连续漏极(ID):19A (Tc) 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):20V VGS(最大):+25V, -10V 场效应晶体管特性:- 功耗(最大):125W (Tc) 操作温度:-55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型:通孔 供应商设备包:TO-247-3 包装/箱子:TO-247-3

C2M0280120D

¥22.42

制造商:Cree/Wolfspeed 包装:管子 系列:Z-FET™ 零件状态:在售 FET类型:N通道 技术:SiCFET(碳化硅) 漏源电压(Vdss):1200V 25°C下的电流-连续漏极(ID):10A (Tc) 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):20V 场效应晶体管特性:- 功耗(最大):62.5W (Tc) 操作温度:-55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型:通孔 供应商设备包:TO-247-3 包装/箱子:TO-247-3

C2M1000170D

¥33.29

制造商:Cree/Wolfspeed 包装:管子 系列:Z-FET™ 零件状态:在售 FET类型:N通道 技术:SiCFET(碳化硅) 漏源电压(Vdss):1700V 25°C下的电流-连续漏极(ID):4.9A (Tc) 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):20V Vgs(th)(最大值)@内径:2.4V @ 100µA VGS(最大):+25V, -10V 场效应晶体管特性:- 功耗(最大):69W (Tc) 操作温度:-55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型:通孔 供应商设备包:TO-247-3 包装/箱子:TO-247-3

C2M1000170J

¥27.71

制造商:Cree/Wolfspeed 包装:体积 系列:C2M™ 零件状态:在售 FET类型:N通道 技术:SiCFET(碳化硅) 漏源电压(Vdss):1700V 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):20V VGS(最大):+25V, -10V 场效应晶体管特性:- 功耗(最大):78W (Tc) 操作温度:-55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型:表面安装 供应商设备包:D2PAK(7导联) 包装/箱子:至-263-7(直引线)