Renesas Electronics America

- Renesas Electronics America 设计制造面向汽车、手机和 PC/AV 市场的高度集成半导体系统解决方案。公司成立于 2003 年 4 月 1 日,是 Hitachi, Ltd.和 Mitsubishi Electric Corporation 的合资公司,总部位于日本东京。Renesas 是世界上最大的半导体公司之一,也是全球领先的微控制器供应商。除微控制器以外,Renesas 还提供片上系统设备、智能卡 IC、混合信号产品、闪存、SRAM 等多种产品。

2SJ162-E

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制造商:Renesas Electronics America 包装:管子 系列:- 零件状态:停产 FET类型:P沟道 技术:金属氧化物 漏源电压(Vdss):160V 25°C下的电流-连续漏极(ID):7A (Ta) 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):10V Vgs(th)(最大值)@内径:- VGS(最大):±15V 场效应晶体管特性:- 功耗(最大):100W (Tc) 操作温度:150°C (TJ) 安装类型:通孔 供应商设备包:对3P 包装/箱子:至-3P-3、SC-65-3

2SJ598(0)-Z-E1-AZ

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制造商:Renesas Electronics America 包装:- 系列:* 零件状态:上次购买 FET类型:- 技术:- 漏源电压(Vdss):- 25°C下的电流-连续漏极(ID):- 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):- Vgs(th)(最大值)@内径:- VGS(最大):- 场效应晶体管特性:- 功耗(最大):- 操作温度:- 安装类型:- 供应商设备包:- 包装/箱子:-

2SJ599(0)-Z-E1-AZ

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制造商:Renesas Electronics America 包装:- 系列:* 零件状态:上次购买 FET类型:- 技术:- 漏源电压(Vdss):- 25°C下的电流-连续漏极(ID):- 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):- Vgs(th)(最大值)@内径:- VGS(最大):- 场效应晶体管特性:- 功耗(最大):- 操作温度:- 安装类型:- 供应商设备包:- 包装/箱子:-

2SJ599(0)-Z-E2-AZ

来电询价

制造商:Renesas Electronics America 包装:- 系列:* 零件状态:上次购买 FET类型:- 技术:- 漏源电压(Vdss):- 25°C下的电流-连续漏极(ID):- 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):- Vgs(th)(最大值)@内径:- VGS(最大):- 场效应晶体管特性:- 功耗(最大):- 操作温度:- 安装类型:- 供应商设备包:- 包装/箱子:-

2SJ599(0)-ZK-E1-AY

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制造商:Renesas Electronics America 包装:- 系列:* 零件状态:上次购买 FET类型:- 技术:- 漏源电压(Vdss):- 25°C下的电流-连续漏极(ID):- 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):- Vgs(th)(最大值)@内径:- VGS(最大):- 场效应晶体管特性:- 功耗(最大):- 操作温度:- 安装类型:- 供应商设备包:- 包装/箱子:-

2SJ600-Z-E1-AZ

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制造商:Renesas Electronics America 包装:- 系列:* 零件状态:上次购买 FET类型:- 技术:- 漏源电压(Vdss):- 25°C下的电流-连续漏极(ID):- 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):- Vgs(th)(最大值)@内径:- VGS(最大):- 场效应晶体管特性:- 功耗(最大):- 操作温度:- 安装类型:- 供应商设备包:- 包装/箱子:-

2SJ601(0)-Z-E1-AZ

来电询价

制造商:Renesas Electronics America 包装:- 系列:* 零件状态:上次购买 FET类型:- 技术:- 漏源电压(Vdss):- 25°C下的电流-连续漏极(ID):- 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):- Vgs(th)(最大值)@内径:- VGS(最大):- 场效应晶体管特性:- 功耗(最大):- 操作温度:- 安装类型:- 供应商设备包:- 包装/箱子:-

2SJ648-T1-A

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制造商:Renesas Electronics America 包装:- 系列:* 零件状态:上次购买 FET类型:- 技术:- 漏源电压(Vdss):- 25°C下的电流-连续漏极(ID):- 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):- Vgs(th)(最大值)@内径:- VGS(最大):- 场效应晶体管特性:- 功耗(最大):- 操作温度:- 安装类型:- 供应商设备包:- 包装/箱子:-

2SJ649-AZ

¥9.04

制造商:Renesas Electronics America 包装:体积 系列:- 零件状态:在售 FET类型:P沟道 技术:金属氧化物 漏源电压(Vdss):60V 25°C下的电流-连续漏极(ID):20A (Tc) 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):4V, 10V Vgs(th)(最大值)@内径:- VGS(最大):±20V 场效应晶体管特性:- 操作温度:150°C (TJ) 安装类型:通孔 供应商设备包:TO-220独立选项卡 包装/箱子:至-220-3独立选项卡

2SJ673-AZ

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制造商:Renesas Electronics America 包装:体积 系列:- 零件状态:停产 FET类型:P沟道 技术:金属氧化物 漏源电压(Vdss):60V 25°C下的电流-连续漏极(ID):36A (Tc) 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):4V, 10V Vgs(th)(最大值)@内径:- VGS(最大):±20V 场效应晶体管特性:- 功耗(最大):2W (Ta), 32W (Tc) 操作温度:150°C (TJ) 安装类型:通孔 供应商设备包:TO-220独立选项卡 包装/箱子:至-220-3独立选项卡

2SJ687-ZK-E1-AY

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制造商:Renesas Electronics America 包装:胶带和卷轴 (tr) 系列:- 零件状态:停产 FET类型:P沟道 技术:金属氧化物 漏源电压(Vdss):20V 25°C下的电流-连续漏极(ID):20A (Tc) 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):2.5V, 4.5V Vgs(th)(最大值)@内径:- VGS(最大):±12V 场效应晶体管特性:- 操作温度:150°C (TJ) 安装类型:表面安装 供应商设备包:TO -252(MP-3ZK) 包装/箱子:至-252-3,DPAK(2条引线+制表符),SC-63

2SK1058-E

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制造商:Renesas Electronics America 包装:管子 系列:- 零件状态:在售 FET类型:N通道 技术:金属氧化物 漏源电压(Vdss):160V 25°C下的电流-连续漏极(ID):7A (Ta) 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):- Vgs(th)(最大值)@内径:- VGS(最大):±15V 场效应晶体管特性:- 功耗(最大):100W (Tc) 操作温度:150°C (TJ) 安装类型:通孔 供应商设备包:对3P 包装/箱子:至-3P-3、SC-65-3