Microsemi

- Microsemi Corporation(纳斯达克股票代码:MSCC) 为航空航天与国防、通信、数据中心以及工业市场提供全面的半导体解决方案产品组合。 公司产品包括:高性能、抗辐射、模拟式混合信号集成电路、FPGA、SoC 和 ASIC,电源管理产品,定时和同步器件以及精密时间解决方案(确立了全球时间标准),语音处理器件,射频解决方案,分立式元器件、企业存储和通信解决方案,安防技术和可扩展防篡改产品,以太网解决方案,以太网供电 IC 和中跨,以及定制设计能力和服务。 Microsemi 总部设于美国加利福尼亚州 Aliso Viejo,全球员工总数约 4,800 人。

0105-50

来电询价

制造商:Microsemi Corporation 包装:体积 系列:- 零件状态:停产 晶体管类型:NPN 电压-集电极发射器击穿(最大值):65V 噪声系数(db typ@f):- 增益:8.5dB ~ 10dB 权力-马克斯:140W 直流电流增益(hfe)(min)@IC,VCE:10 @ 1A, 5V 电流收集器(Ic)(最大值):7A 操作温度:200°C (TJ) 安装类型:底盘安装 包装/箱子:55JT 供应商设备包:55JT

0204-125

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系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 晶体管类型 : NPN 电压 - 集射极击穿(最大值) : 60V 频率 - 跃迁 : 225MHz ~ 400MHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) : - 增益 : 7dB ~ 8.5dB 功率 - 最大值 : 270W 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 20 @ 1A,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 16A 工作温度 : 200°C(TJ) 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 55JT 供应商器件封装 : 55JT 包装 : 散装 零件状态 : 停產

090-44300-00

¥4,554.96

系列 : Quantum™ 制造商 : Microsemi Corporation 类型 : 计时 功能 : 时钟发生器 嵌入式 : - 使用的 IC/零件 : SA.31m,SA.33m,SA.35m 主要属性 : 铷原子钟 所含物品 : 板 零件状态 : 在售

0910-150M

¥3,302.42

系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 晶体管类型 : NPN 电压 - 集射极击穿(最大值) : 65V 频率 - 跃迁 : 890MHz ~ 1GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) : - 增益 : 8.1dB ~ 8.5dB 功率 - 最大值 : 400W 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : - 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 12A 工作温度 : 200°C(TJ) 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 55KT 供应商器件封装 : 55KT 包装 : 散装 零件状态 : 在售

0910-60M

¥2,963.74

系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 晶体管类型 : NPN 电压 - 集射极击穿(最大值) : 65V 频率 - 跃迁 : 890MHz ~ 1GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) : - 增益 : 8dB ~ 8.5dB 功率 - 最大值 : 180W 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : - 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 8A 工作温度 : 200°C(TJ) 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 55AW 供应商器件封装 : 55AW 包装 : 散装 零件状态 : 在售

0912-25

来电询价

制造商:Microsemi Corporation 包装:体积 系列:- 零件状态:停产 晶体管类型:NPN 电压-集电极发射器击穿(最大值):55V 噪声系数(db typ@f):- 权力-马克斯:125W 电流收集器(Ic)(最大值):2.5A 安装类型:底盘安装 包装/箱子:55CT 供应商设备包:55CT

1000MA

来电询价

制造商:Microsemi Corporation 包装:- 系列:- 零件状态:停产 晶体管类型:- 电压-集电极发射器击穿(最大值):- 频率转换:- 噪声系数(db typ@f):- 增益:- 权力-马克斯:- 直流电流增益(hfe)(min)@IC,VCE:- 电流收集器(Ic)(最大值):- 操作温度:- 安装类型:- 包装/箱子:- 供应商设备包:-

1000MP

来电询价

系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 晶体管类型 : NPN 电压 - 集射极击穿(最大值) : - 频率 - 跃迁 : 1.15GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) : - 增益 : 10.8dB 功率 - 最大值 : 5.3W 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 15 @ 100mA,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 300mA 工作温度 : - 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 55FW 供应商器件封装 : 55FW 包装 : 散装 零件状态 : 停產

1002MP

来电询价

系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 晶体管类型 : - 电压 - 集射极击穿(最大值) : 50V 频率 - 跃迁 : 960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) : - 增益 : 8.24dB ~ 11dB 功率 - 最大值 : 7W 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 20 @ 100mA,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 250mA 工作温度 : 200°C(TJ) 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 55FW-1 供应商器件封装 : 55FW-1 包装 : 散装 零件状态 : 停產

1004MA

来电询价

制造商:Microsemi Corporation 包装:- 系列:- 零件状态:停产 晶体管类型:- 电压-集电极发射器击穿(最大值):- 频率转换:- 噪声系数(db typ@f):- 增益:- 权力-马克斯:- 直流电流增益(hfe)(min)@IC,VCE:- 电流收集器(Ic)(最大值):- 操作温度:- 安装类型:- 包装/箱子:- 供应商设备包:-

1004MP

来电询价

系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 晶体管类型 : - 电压 - 集射极击穿(最大值) : 50V 频率 - 跃迁 : 960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) : - 增益 : 7dB ~ 9dB 功率 - 最大值 : 7W 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 20 @ 100mA,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 300mA 工作温度 : 200°C(TJ) 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 55FW-1 供应商器件封装 : 55FW-1 包装 : 散装 零件状态 : 停產

1015MP

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系列 : - 制造商 : Microsemi Corporation 晶体管类型 : NPN 电压 - 集射极击穿(最大值) : 65V 频率 - 跃迁 : 1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) : - 增益 : 10dB ~ 11dB 功率 - 最大值 : 50W 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 20 @ 100mA,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 1A 工作温度 : 200°C(TJ) 安装类型 : 底座安装 封装/外壳 : 55FW 供应商器件封装 : 55FW 包装 : 散装 零件状态 : 停產