EPC

BOOK GAN FET

¥291.75

系列 : eGaN® 制造商 : EPC 类型 : 手册 标题 : 用于高效电源转换的氮化镓晶体管 作者 : Alex Lidow,Johan Strydom,Michael de Rooij,Yanping Ma 出版商 : 电源转换出版物 ISBN : 电源转换出版物 零件状态 : 在售

EPC2001

¥17.23

制造商:EPC 包装:胶带和卷轴 (tr) 系列:eGaN® 零件状态:停产 FET类型:N通道 技术:Ganfet(氮化镓) 漏源电压(Vdss):100V 25°C下的电流-连续漏极(ID):25A (Ta) 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):5V VGS(最大):+6V, -5V 场效应晶体管特性:- 功耗(最大):- 操作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 安装类型:表面安装 供应商设备包:模具外形(11个焊锡条) 包装/箱子:Die

EPC2001C

¥21.83

系列 : eGaN® 制造商 : EPC FET 类型 : N 沟道 技术 : GaNFET(氮化镓) 漏源电压(Vdss) : 100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 36A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) : 5V 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) : 7 毫欧 @ 25A,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 2.5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) : 9nC @ 5V Vgs(最大值) : +6V,-4V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 900pF @ 50V FET 功能 : - 功率耗散(最大值) : - 工作温度 : -40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 供应商器件封装 : 模具剖面(11 焊条) 封装/外壳 : 模具 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

EPC2007

来电询价

制造商:EPC 包装:胶带和卷轴 (tr) 系列:eGaN® 零件状态:停产 FET类型:N通道 技术:Ganfet(氮化镓) 漏源电压(Vdss):100V 25°C下的电流-连续漏极(ID):6A (Ta) 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):5V VGS(最大):+6V, -5V 场效应晶体管特性:- 功耗(最大):- 操作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 安装类型:表面安装 供应商设备包:模具轮廓(5-焊棒) 包装/箱子:Die

EPC2007C

¥9.30

系列 : eGaN® 制造商 : EPC FET 类型 : N 沟道 技术 : GaNFET(氮化镓) 漏源电压(Vdss) : 100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 6A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) : 5V 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) : 30 毫欧 @ 6A,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 2.5V @ 1.2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) : 2.2nC @ 5V Vgs(最大值) : +6V,-4V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 220pF @ 50V FET 功能 : - 功率耗散(最大值) : - 工作温度 : -40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 供应商器件封装 : 模具剖面(5 焊条) 封装/外壳 : 模具 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

EPC2010

来电询价

制造商:EPC 包装:胶带和卷轴 (tr) 系列:eGaN® 零件状态:停产 FET类型:N通道 技术:Ganfet(氮化镓) 漏源电压(Vdss):200V 25°C下的电流-连续漏极(ID):12A (Ta) 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):5V VGS(最大):+6V, -4V 场效应晶体管特性:- 功耗(最大):- 操作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 安装类型:表面安装 供应商设备包:Die 包装/箱子:Die

EPC2010C

¥29.34

系列 : eGaN® 制造商 : EPC FET 类型 : N 沟道 技术 : GaNFET(氮化镓) 漏源电压(Vdss) : 200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 22A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) : 5V 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) : 25 毫欧 @ 12A,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 2.5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) : 5.3nC @ 5V Vgs(最大值) : +6V,-4V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 540pF @ 100V FET 功能 : - 功率耗散(最大值) : - 工作温度 : -40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 供应商器件封装 : 模具剖面(7 焊条) 封装/外壳 : 模具 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

EPC2012

来电询价

制造商:EPC 包装:胶带和卷轴 (tr) 系列:eGaN® 零件状态:停产 FET类型:N通道 技术:Ganfet(氮化镓) 漏源电压(Vdss):200V 25°C下的电流-连续漏极(ID):3A (Ta) 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):5V Vgs(th)(最大值)@内径:2.5V @ 1mA VGS(最大):+6V, -5V 场效应晶体管特性:- 功耗(最大):- 操作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 安装类型:表面安装 供应商设备包:Die 包装/箱子:Die

EPC2012C

¥11.99

系列 : eGaN® 制造商 : EPC FET 类型 : N 沟道 技术 : GaNFET(氮化镓) 漏源电压(Vdss) : 200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 5A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) : 5V 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) : 100 毫欧 @ 3A,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) : 1.3nC @ 5V Vgs(最大值) : +6V,-4V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 140pF @ 100V FET 功能 : - 功率耗散(最大值) : - 工作温度 : -40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 供应商器件封装 : 模具剖面(4 焊条) 封装/外壳 : 模具 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

EPC2014

¥3.96

制造商:EPC 包装:胶带和卷轴 (tr) 系列:eGaN® 零件状态:停产 FET类型:N通道 技术:Ganfet(氮化镓) 漏源电压(Vdss):40V 25°C下的电流-连续漏极(ID):10A (Ta) 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):5V 场效应晶体管特性:- 功耗(最大):- 操作温度:-40°C ~ 150°C (TJ) 安装类型:表面安装 供应商设备包:模具轮廓(5-焊棒) 包装/箱子:Die

EPC2014C

¥6.26

系列 : eGaN® 制造商 : EPC FET 类型 : N 沟道 技术 : GaNFET(氮化镓) 漏源电压(Vdss) : 40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 10A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) : 5V 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) : 16 毫欧 @ 10A, 5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 2.5V @ 2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) : 2.5nC @ 5V Vgs(最大值) : +6V,-4V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 300pF @ 20V FET 功能 : - 功率耗散(最大值) : - 工作温度 : -40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 供应商器件封装 : 模具剖面(5 焊条) 封装/外壳 : 模具 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

EPC2015

来电询价

制造商:EPC 包装:胶带和卷轴 (tr) 系列:eGaN® 零件状态:停产 FET类型:N通道 技术:Ganfet(氮化镓) 漏源电压(Vdss):40V 25°C下的电流-连续漏极(ID):33A (Ta) 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):5V VGS(最大):+6V, -5V 场效应晶体管特性:- 功耗(最大):- 操作温度:-40°C ~ 150°C (TJ) 安装类型:表面安装 供应商设备包:模具外形(11个焊锡条) 包装/箱子:Die