Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

- Alpha and Omega Semiconductor, Inc. (或 AOS)是一个各种功率半导体器件的设计商、 开发商和全球供应商,产品包括广泛的功率 MOSFET 和电源 IC 产品组合。 AOS 一直努力通过整合其在器件物理、工艺、设计和先进封装方面的专业知识进行产品性能和成本优化,确立其在行业中的差异化优势,其产品组合的设计满足了在大容量应用领域日益增长的功率效率要求,包括便携式计算机、平板电视、电池组、便携式媒体播放器和电源。

AO3162

¥2.38

制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装:切割带 (ct) 系列:- 零件状态:在售 FET类型:N通道 技术:金属氧化物 漏源电压(Vdss):600V 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):10V VGS(最大):±30V 场效应晶体管特性:- 功耗(最大):1.39W (Ta) 操作温度:-50°C ~ 150°C (TJ) 安装类型:表面安装 供应商设备包:SOT-23 包装/箱子:TO-236-3、SC-59、SOT-23-3

AO3400

来电询价

制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装:胶带和卷轴 (tr) 系列:- 零件状态:初步 FET类型:N通道 技术:金属氧化物 漏源电压(Vdss):30V 25°C下的电流-连续漏极(ID):5.8A (Ta) 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):2.5V, 10V Vgs(th)(最大值)@内径:1.45V @ 250µA VGS(最大):±12V 场效应晶体管特性:- 功耗(最大):1.4W (Ta) 操作温度:-55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型:表面安装 供应商设备包:SOT-23-3 包装/箱子:TO-236-3、SC-59、SOT-23-3

AO3400_101

来电询价

制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装:- 系列:- 零件状态:停产 FET类型:- 技术:- 漏源电压(Vdss):- 25°C下的电流-连续漏极(ID):- 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):- Vgs(th)(最大值)@内径:- VGS(最大):- 场效应晶体管特性:- 功耗(最大):- 操作温度:- 安装类型:- 供应商设备包:- 包装/箱子:-

AO3400A

¥2.02

系列 : - 制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc. FET 类型 : N 沟道 技术 : MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) : 30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 5.7A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) : 2.5V,10V 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) : 26.5 毫欧 @ 5.7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 1.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) : 7nC @ 4.5V Vgs(最大值) : ±12V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 630pF @ 15V FET 功能 : - 功率耗散(最大值) : 1.4W(Ta) 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 供应商器件封装 : SOT-23-3L 封装/外壳 : TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

AO3400A_101

来电询价

制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装:- 系列:- 零件状态:停产 FET类型:- 技术:- 漏源电压(Vdss):- 25°C下的电流-连续漏极(ID):- 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):- Vgs(th)(最大值)@内径:- VGS(最大):- 场效应晶体管特性:- 功耗(最大):- 操作温度:- 安装类型:- 供应商设备包:- 包装/箱子:-

AO3401A

¥2.02

系列 : - 制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc. FET 类型 : P 沟道 技术 : MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) : 30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 4A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) : 2.5V,10V 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) : 44 毫欧 @ 4.3A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 1.3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) : 12.2nC @ 4.5V Vgs(最大值) : ±12V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 1200pF @ 15V FET 功能 : - 功率耗散(最大值) : 1.4W(Ta) 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 供应商器件封装 : SOT-23-3L 封装/外壳 : TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

AO3401AL

来电询价

制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装:胶带和卷轴 (tr) 系列:- 零件状态:上次购买 FET类型:P沟道 技术:金属氧化物 漏源电压(Vdss):30V 25°C下的电流-连续漏极(ID):4A (Ta) 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):2.5V, 10V Vgs(th)(最大值)@内径:1.3V @ 250µA VGS(最大):±12V 场效应晶体管特性:- 功耗(最大):1.4W (Ta) 操作温度:-55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型:表面安装 供应商设备包:SOT-23-3 包装/箱子:TO-236-3、SC-59、SOT-23-3

AO3401AL_101

来电询价

制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装:胶带和卷轴 (tr) 系列:- 零件状态:上次购买 FET类型:P沟道 技术:金属氧化物 漏源电压(Vdss):30V 25°C下的电流-连续漏极(ID):4.3A (Ta) 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):2.5V, 10V Vgs(th)(最大值)@内径:1.3V @ 250µA VGS(最大):±12V 场效应晶体管特性:- 功耗(最大):1.4W (Ta) 操作温度:-55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型:表面安装 供应商设备包:SOT-23-3 包装/箱子:TO-236-3、SC-59、SOT-23-3

AO3401AL_DELTA

来电询价

制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装:- 系列:- 零件状态:停产 FET类型:- 技术:- 漏源电压(Vdss):- 25°C下的电流-连续漏极(ID):- 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):- Vgs(th)(最大值)@内径:- VGS(最大):- 场效应晶体管特性:- 功耗(最大):- 操作温度:- 安装类型:- 供应商设备包:- 包装/箱子:-

AO3401L

来电询价

制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装:胶带和卷轴 (tr) 系列:- 零件状态:上次购买 FET类型:P沟道 技术:金属氧化物 漏源电压(Vdss):30V 25°C下的电流-连续漏极(ID):4.2A (Ta) 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):2.5V, 10V Vgs(th)(最大值)@内径:1.3V @ 250µA VGS(最大):±12V 场效应晶体管特性:- 功耗(最大):1.4W (Ta) 操作温度:-55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型:表面安装 供应商设备包:SOT-23-3 包装/箱子:TO-236-3、SC-59、SOT-23-3

AO3401L_101

来电询价

制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装:胶带和卷轴 (tr) 系列:- 零件状态:上次购买 FET类型:P沟道 技术:金属氧化物 漏源电压(Vdss):30V 25°C下的电流-连续漏极(ID):4.2A (Ta) 驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):2.5V, 10V Vgs(th)(最大值)@内径:1.3V @ 250µA VGS(最大):±12V 场效应晶体管特性:- 功耗(最大):1.4W (Ta) 操作温度:-55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型:表面安装 供应商设备包:SOT-23-3 包装/箱子:TO-236-3、SC-59、SOT-23-3

AO3402

¥1.65

系列 : - 制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc. FET 类型 : N 沟道 技术 : MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) : 30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 4A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) : 2.5V,10V 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) : 55 毫欧 @ 4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 1.4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) : 4.34nC @ 4.5V Vgs(最大值) : ±12V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 390pF @ 15V FET 功能 : - 功率耗散(最大值) : 1.4W(Ta) 工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 供应商器件封装 : SOT-23-3L 封装/外壳 : TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售