Advanced Linear Devices, Inc.

 Advanced Linear Devices, Inc.(ALD)凭借公司独有的 EPAD® 技术,开发并制造出了超低功耗、高精度 CMOS 模拟集成电路、相关板级产品和能量收集模块及配件。 ALD 的标准半导体产品包括全套“精心打造”的超低电荷注入低电压模拟开关,双斜坡 A/D 转换器和数字处理器、精密电压比较器、精密轨至轨 CMOS 运算放大器和带高放电输出的低漂移 CMOS 定时器,以及广泛匹配小信号 MOSFET 阵列的增强、损耗和零阈值模式 EPAD 选择。

ALD1101ASAL

¥37.82

系列 : - 制造商 : Advanced Linear Devices Inc. FET 类型 : 2 N 沟道(双)配对 FET 功能 : 标准 漏源电压(Vdss) : 10.6V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : - 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) : 75 欧姆 @ 5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 1V @ 10µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) : - 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : - 功率 - 最大值 : 500mW 工作温度 : 0°C ~ 70°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装 : 8-SOIC 包装 : 管件 零件状态 : 在售

ALD1101PAL

¥24.78

系列 : - 制造商 : Advanced Linear Devices Inc. FET 类型 : 2 N 沟道(双)配对 FET 功能 : 标准 漏源电压(Vdss) : 10.6V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : - 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) : 75 欧姆 @ 5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 1V @ 10µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) : - 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : - 功率 - 最大值 : 500mW 工作温度 : 0°C ~ 70°C(TJ) 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : 8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商器件封装 : 8-PDIP 包装 : 管件 零件状态 : 在售

ALD1101SAL

¥22.51

系列 : - 制造商 : Advanced Linear Devices Inc. FET 类型 : 2 N 沟道(双)配对 FET 功能 : 标准 漏源电压(Vdss) : 10.6V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : - 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) : 75 欧姆 @ 5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 1V @ 10µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) : - 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : - 功率 - 最大值 : 500mW 工作温度 : 0°C ~ 70°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装 : 8-SOIC 包装 : 管件 零件状态 : 在售

ALD1102APAL

¥56.06

系列 : - 制造商 : Advanced Linear Devices Inc. FET 类型 : 2 P 沟道(双)配对 FET 功能 : 标准 漏源电压(Vdss) : 10.6V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : - 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) : 270 欧姆 @ 5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 1.2V @ 10µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) : - 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : - 功率 - 最大值 : 500mW 工作温度 : 0°C ~ 70°C(TJ) 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : 8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商器件封装 : 8-PDIP 包装 : 管件 零件状态 : 在售

ALD1102ASAL

¥46.23

系列 : - 制造商 : Advanced Linear Devices Inc. FET 类型 : 2 P 沟道(双)配对 FET 功能 : 标准 漏源电压(Vdss) : 10.6V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : - 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) : 270 欧姆 @ 5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 1.2V @ 10µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) : - 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : - 功率 - 最大值 : 500mW 工作温度 : 0°C ~ 70°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装 : 8-SOIC 包装 : 管件 零件状态 : 在售

ALD1102PAL

¥22.51

系列 : - 制造商 : Advanced Linear Devices Inc. FET 类型 : 2 P 沟道(双)配对 FET 功能 : 标准 漏源电压(Vdss) : 10.6V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : - 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) : 270 欧姆 @ 5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 1.2V @ 10µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) : - 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 10pF @ 5V 功率 - 最大值 : 500mW 工作温度 : 0°C ~ 70°C(TJ) 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : 8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商器件封装 : 8-PDIP 包装 : 管件 零件状态 : 在售

ALD1102SAL

¥25.02

系列 : - 制造商 : Advanced Linear Devices Inc. FET 类型 : 2 P 沟道(双)配对 FET 功能 : 标准 漏源电压(Vdss) : 10.6V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : - 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) : 270 欧姆 @ 5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 1.2V @ 10µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) : - 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 10pF @ 5V 功率 - 最大值 : 500mW 工作温度 : 0°C ~ 70°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装 : 8-SOIC 包装 : 管件 零件状态 : 在售

ALD1103PBL

¥24.92

系列 : - 制造商 : Advanced Linear Devices Inc. FET 类型 : 2 N 和 2 P 沟道(双)配对 FET 功能 : 标准 漏源电压(Vdss) : 10.6V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 40mA,16mA 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) : 75 欧姆 @ 5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 1V @ 10µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) : - 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 10pF @ 5V 功率 - 最大值 : 500mW 工作温度 : 0°C ~ 70°C(TJ) 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : 14-DIP(0.300",7.62mm) 供应商器件封装 : 14-PDIP 包装 : 管件 零件状态 : 在售

ALD1103SBL

¥27.69

系列 : - 制造商 : Advanced Linear Devices Inc. FET 类型 : 2 N 和 2 P 沟道(双)配对 FET 功能 : 标准 漏源电压(Vdss) : 10.6V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : 40mA,16mA 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) : 75 欧姆 @ 5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 1V @ 10µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) : - 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 10pF @ 5V 功率 - 最大值 : 500mW 工作温度 : 0°C ~ 70°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装 : 14-SOIC 包装 : 管件 零件状态 : 在售

ALD1105PBL

¥17.92

系列 : - 制造商 : Advanced Linear Devices Inc. FET 类型 : 2 N 和 2 P 沟道(双)配对 FET 功能 : 标准 漏源电压(Vdss) : 10.6V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : - 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) : 500 欧姆 @ 5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 1V @ 1µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) : - 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 3pF @ 5V 功率 - 最大值 : 500mW 工作温度 : 0°C ~ 70°C(TJ) 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : 14-DIP(0.300",7.62mm) 供应商器件封装 : 14-PDIP 包装 : 管件 零件状态 : 在售

ALD1105SBL

¥16.28

系列 : - 制造商 : Advanced Linear Devices Inc. FET 类型 : 2 N 和 2 P 沟道(双)配对 FET 功能 : 标准 漏源电压(Vdss) : 10.6V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : - 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) : 500 欧姆 @ 5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 1V @ 1µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) : - 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 3pF @ 5V 功率 - 最大值 : 500mW 工作温度 : 0°C ~ 70°C(TJ) 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装 : 14-SOIC 包装 : 管件 零件状态 : 在售

ALD1106PBL

¥16.28

系列 : - 制造商 : Advanced Linear Devices Inc. FET 类型 : 4 N 沟道,配对 FET 功能 : 标准 漏源电压(Vdss) : 10.6V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) : - 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) : 500 欧姆 @ 5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) : 1V @ 1µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) : - 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) : 3pF @ 5V 功率 - 最大值 : 500mW 工作温度 : 0°C ~ 70°C(TJ) 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : 14-DIP(0.300",7.62mm) 供应商器件封装 : 14-PDIP 包装 : 管件 零件状态 : 在售